意法半导体于2014年5月14日宣布，已与三星电子就意法半导体的28nm FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术的多源制造合作签订了一揽子协议（英文发布资料）。按照该协议，三星将在使用自家工厂的代工业务中，利用意法半导体的28nm FD-SOI技术量产半导体产品。
目前，意法半导体正在法国克洛尔（Crolles）的300mm晶圆工厂利用28nm FD-SOI技术进行量产。按照此次协议，今后三星的300mm晶圆工厂也将量产采用28nm FD-SOI技术的芯片。这样一来便可提高产品供应的稳定性。另外，三星预定在2015年初完成28nm FD-SOI技术的量产认证。
发布资料中还记述了两公司高层对此次合作的看法。意法半导体首席运营官Jean-Marc Chery表示，“意法半导体和三星以前在国际半导体研发联盟（ISDA）体制内就建立了稳固的关系。此次通过在28nm FD-SOI技术上展开合作，双方的合作关系将进一步强化。整个FD-SOI生态系统将进一步扩展，产能也将提高，包括EDA供应商及IP提供商在内，28nm FD-SOI生态系统预计将进一步扩大。比如，28nm FD-SOI用IP内核库将更加丰富”。
三星系统LSI业务执行副总裁郑世雄（Seh-Woong Jeong）表示，“我们非常高兴能与意法半导体就28nm FD-SOI技术合作。对于在28nm工艺寻求更高性能和电源效率、而不是向20nm工艺过渡的客户来说，这是非常理想的解决方案。28nm工艺技术的生产效率出色，在已成熟的制造能力的支持下将有着较长的寿命。通过在技术组合中加入FD-SOI，三星将为客户提供更广泛的28nm工艺产品”。
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